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46 :山師さん:2024/01/16(火)09:24:56 ID:r+INkJED.net
次世代パワー半導体材料「r―GeO2」でゲームチェンジ狙う ただ、従来r―GeO2は成膜時に蒸発するため、霧(ミスト)状の溶液を使い薄膜を形成する「ミストCVD(化学気相成長)」法でも低結晶領域が混入し、うまくエピタキシャル成長させることが難しかった。パテンティクスは一般的なミストCVD法を改良し、効率的に水分子の集合体を使いエピ成長できるようにした。 事業体制も強化する。クオルテックや日電精密工業(岐阜県大垣市)と23年12月に資本業務提携し、r―GeO2エピウエハーの量産を目指す。 https://news.yahoo.co.jp/articles/7bfacd23dc579bdfca04997e74c510c11a5a540f?source=sns&dv=sp&mid=other&date=20240115&ctg=sci&bt=tw_up
次世代パワー半導体材料「r―GeO2」でゲームチェンジ狙う
ただ、従来r―GeO2は成膜時に蒸発するため、霧(ミスト)状の溶液を使い薄膜を形成する「ミストCVD(化学気相成長)」法でも低結晶領域が混入し、うまくエピタキシャル成長させることが難しかった。パテンティクスは一般的なミストCVD法を改良し、効率的に水分子の集合体を使いエピ成長できるようにした。
事業体制も強化する。クオルテックや日電精密工業(岐阜県大垣市)と23年12月に資本業務提携し、r―GeO2エピウエハーの量産を目指す。
https://news.yahoo.co.jp/articles/7bfacd23dc579bdfca04997e74c510c11a5a540f?source=sns&dv=sp&mid=other&date=20240115&ctg=sci&bt=tw_up